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三巨頭最后一家:SK海力士跨向1ynm內存時代

作者:上方文Q時間:2019-04-28來源:快科技收藏

近日宣布,將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM芯片產能的同時,今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝()的芯片,并為下代做好準備。

本文引用地址:http://www.rylpcf.shop/article/201904/399960.htm

首款工藝產品將是8Gb DDR4-3200芯片,號稱相比1xnm工藝可將尺寸縮小20%,并將功耗降低15%。

此外,這顆新的芯片還具備四相時鐘機制,有利于提高信號強度、維持高頻穩定性,并支持感應放大控制技術(SAC),有利于減少晶體管尺寸縮小時可能出現的數據錯誤。

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有消息稱,還會用工藝制造DDR5、LPDDR5、GDDR6內存芯片,所以盡早部署并量產非常關鍵。

其實,SK海力士是內存三巨頭中最后一家大規模上1ynm工藝的,三星、美光去年就用上了。

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關鍵詞: 內存 SK海力士 1ynm

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