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意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速開關技術提升應用性能

作者:時間:2019-04-30來源:電子產品世界收藏

中國,2019年4月30日——的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止()技術,可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產品。

本文引用地址:http://www.rylpcf.shop/article/201904/400124.htm

新HB2系列屬于STPOWER?產品家族,更低(1.55V)的 VCEsat 飽和電壓確保導通性能極其出色;更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關,提高動態開關性能;出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度,同時新系列還是市場上極具競爭力的產品。

HB2系列IGBT提供三個內部二極管選項:全額定二極管、半額定二極管或防止意外反向偏置的保護二極管,從而為開發者提供更多的自由設計權,根據特定應用需求優化動態性能。

新650V器件的首款產品40A STGWA40HP65FB2現已上市,采用TO-247長引腳封裝。

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關鍵詞: 意法半導體 TFS

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